2SB772L PNP BJT Transistör 40V 3A TO-126

2SB772L, orta güç sınıfında kullanılan PNP tipi silikon BJT transistördür. 3A'e kadar kolektör akımı, düşük doyum gerilimi ve kompakt TO-126 paket yapısı sayesinde ses amplifikatörleri, güç sürücü devreleri, voltaj regülatörleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.

Ürünün kolektör-baz gerilim dayanımı 40V, kolektör-emetör gerilim dayanımı ise 30V'tur. 2SB772 ailesinin tamamlayıcı NPN transistörü 2SD882'dir ve iki transistör uygun devrelerde tamamlayıcı push-pull çıkış katları oluşturmak için birlikte kullanılabilir.

Teknik Özellikler

• Model: 2SB772L
• Transistör Tipi: PNP BJT
• Yarı İletken Malzeme: Silisyum
• Kolektör-Baz Gerilimi (VCBO): -40V
• Kolektör-Emetör Gerilimi (VCEO): -30V
• Emetör-Baz Gerilimi (VEBO): -5V sınıfı
• Maksimum Sürekli Kolektör Akımı (IC): -3A
• Tepe Kolektör Akımı: -7A sınıfı
• Maksimum Baz Akımı: -0.6A sınıfı
• DC Akım Kazancı (hFE): Üretici / kazanç sınıfına göre yaklaşık 60 - 400
• Tipik Geçiş Frekansı (fT): Yaklaşık 80MHz
• Düşük Kolektör-Emetör Doyum Gerilimi
• Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı: 150°C
• Tamamlayıcı NPN Transistör: 2SD882
• Paket Tipi: TO-126
• Pin Sayısı: 3
• Montaj Tipi: THT / Delikli Montaj

Not: 40V değeri kolektör-baz gerilimi (VCBO) değeridir. Kolektör-emetör maksimum gerilimi (VCEO) 30V'tur. Güç kaybı ve hFE değerleri üretici, kazanç sınıfı ve termal koşullara göre değişebilir.

2SB772L Pin Yapısı ve Temel Teknik Özellikleri

Pin Açıklamaları

TO-126 paket 2SB772L için yaygın pin dizilimi, komponentin ön yüzüne bakıldığında aşağıdaki şekildedir:

• Pin 1 - Emitter (E): Emetör terminali
• Pin 2 - Collector (C): Kolektör terminali
• Pin 3 - Base (B): Baz terminali

TO-126 paketin metal montaj yüzeyi kolektör terminaline elektriksel olarak bağlıdır. Metal bir soğutucuya montaj yapılırken bu bağlantı dikkate alınmalıdır.

PNP BJT Çalışma Prensibi

2SB772L bir PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. PNP transistörlerde emetör genellikle devrenin pozitif besleme tarafına bağlanır. Baz terminalinin gerilimi emetöre göre yeterince düşürüldüğünde baz-emetör jonksiyonu ileri yönde kutuplanır ve transistör iletime geçer.

Silisyum PNP transistörlerde baz-emetör jonksiyonu iletim sırasında genellikle yaklaşık 0.6V - 0.8V seviyesinde ileri yönde kutuplanır.

VB < VE → PNP Transistör İletime Geçer

40V VCBO ve 30V VCEO Farkı

2SB772L için iki farklı gerilim sınırı bulunur:

• VCBO = -40V: Emetör açık durumdayken kolektör ile baz arasındaki maksimum gerilim
• VCEO = -30V: Baz açık durumdayken kolektör ile emetör arasındaki maksimum gerilim

Bu nedenle ürün üzerinde veya ticari başlıklarda görülen 40V değeri VCBO değerini ifade eder. Devrede kolektör-emetör arasındaki gerilim değerlendirilirken 30V VCEO sınırı dikkate alınmalıdır.

3A Kolektör Akımı

2SB772L'nin maksimum DC kolektör akımı 3A sınıfındadır.

|IC|max = 3A

3A değeri mutlak maksimum sınırdır. Transistörün gerçek bir devrede güvenli şekilde taşıyabileceği sürekli akım; kolektör-emetör gerilimi, soğutma, ortam sıcaklığı, baz sürüşü ve güvenli çalışma alanına bağlıdır.

7A Tepe Kolektör Akımı

2SB772 ailesinde kısa süreli darbe koşullarında yaklaşık 7A tepe kolektör akımı değeri verilmektedir.

|IC Pulse|max ≈ 7A

Bu değer sürekli akım değildir. Yalnızca üreticinin belirttiği darbe süresi ve görev döngüsü koşullarında değerlendirilmelidir.

Düşük Doyum Gerilimi

2SB772L'nin önemli özelliklerinden biri düşük kolektör-emetör doyum gerilimidir. Bu özellik özellikle transistörün anahtar olarak kullanıldığı yüksek akımlı düşük voltaj uygulamalarında iletim kayıplarının azaltılmasına yardımcı olur.

Tipik bir datasheet test koşulunda:

VCE(sat) ≈ -0.3V Tipik @ IC=-2A, IB=-0.2A

Maksimum değer aynı test koşullarında yaklaşık -0.5V sınıfındadır.

DC Akım Kazancı - hFE

hFE, BJT transistörün DC akım kazancını ifade eder ve yaklaşık olarak kolektör akımının baz akımına oranıdır:

hFE = IC / IB

2SB772 ailesinde hFE değeri üreticiye ve kazanç sınıfına bağlı olarak değişebilir. Bazı 2SB772 datasheet'lerinde 60 - 400 genel aralığı bulunurken UTC'nin güncel 2SB772L kazanç sınıflarında 1A test akımında yaklaşık 100 - 400 aralığı kullanılmaktadır.

Bu nedenle özellikle anahtarlama devrelerinde baz akımı yalnızca nominal hFE değerine göre belirlenmemelidir.

Baz Akımı

BJT yapısı nedeniyle 2SB772L'nin kolektör akımını kontrol edebilmek için baz terminalinden uygun akım geçirilmesi gerekir.

Yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında transistörü güvenilir şekilde doyuma sokmak için datasheet'teki VCE(sat) test koşulları dikkate alınabilir.

Örneğin 2A kolektör akımındaki doyum gerilimi testi 200mA baz akımıyla gerçekleştirilmiştir. Bu, yüksek kolektör akımlarında önemli miktarda baz sürme akımı gerekebileceğini gösterir.

80MHz Geçiş Frekansı

2SB772 ailesinin tipik akım kazancı bant genişliği ürünü yaklaşık 80MHz seviyesindedir.

fT ≈ 80MHz Tipik

Bu özellik transistörün ses amplifikatörü sürücü ve çıkış katları gibi analog uygulamalarda kullanılabilmesine yardımcı olur.

10W Güç Kaybı Değeri

Görselde belirtilen 10W Ptot değeri belirli termal koşullardaki maksimum güç kaybıdır.

Ptot = 10W @ TC = 25°C

Buradaki TC, transistörün kasa sıcaklığını ifade eder. Kasa sıcaklığının 25°C seviyesinde tutulabilmesi uygun termal bağlantı ve soğutma gerektirir.

Serbest havada ve herhangi bir soğutma olmadan 10W sürekli güç harcanması mümkün değildir. Örneğin bazı 2SB772 TO-126 datasheet'lerinde 25°C ortam sıcaklığında serbest ortam güç kaybı yaklaşık 1W olarak belirtilir.

Güç Kaybının Hesaplanması

Aktif bölgede çalışan bir BJT transistörde yaklaşık güç kaybı:

P ≈ |VCE| × |IC|

bağıntısıyla hesaplanabilir.

Örneğin transistör üzerinde 2V VCE bulunurken 2A akım geçiyorsa yaklaşık 4W güç ısıya dönüşür. Bu seviyelerde uygun termal tasarım ve soğutma önemlidir.

TO-126 Paket ve Metal Tab

2SB772L TO-126 paket yapısına sahiptir. Paket üzerindeki montaj deliği transistörün uygun bir soğutucuya mekanik olarak sabitlenmesini kolaylaştırır.

Metal tab kolektör terminaline bağlı olduğundan birden fazla transistör ortak metal soğutucuya bağlanacaksa elektriksel izolasyon gereksinimi kontrol edilmelidir.

Ses Amplifikatörlerinde Kullanım

2SB772 ailesi özellikle düşük ve orta güçlü ses amplifikatörlerinin çıkış ve sürücü katlarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır.

Tamamlayıcı NPN 2SD882 ile birlikte Class AB push-pull çıkış devrelerinde kullanılabilir.

2SB772L ve 2SD882 Tamamlayıcı Çifti

• 2SB772L: PNP transistör
• 2SD882: NPN transistör

Bu iki komponent tamamlayıcı yapıda kullanılarak ses amplifikatörleri, güç sürücüleri ve çift yönlü analog çıkış katları oluşturulabilir.

Yük Anahtarlama

2SB772L PNP yapısı sayesinde özellikle pozitif besleme tarafında gerçekleştirilen high-side yük anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.

Yükün beslemesi emetör tarafından sağlanırken bazın uygun sürücü devresiyle daha düşük gerilime çekilmesi transistörün iletime geçmesini sağlar.

Röle, Motor ve Endüktif Yükler

3A akım kapasitesi sayesinde uygun çalışma şartlarında röle, solenoid ve küçük DC motor gibi yüklerin sürülmesinde kullanılabilir.

Endüktif yük enerjisi kesildiğinde ters gerilim darbesi oluşturabileceğinden uygun flyback diyot, TVS veya başka bir transient koruma elemanı kullanılmalıdır.

DC-DC Dönüştürücü ve Regülatör Devreleri

Düşük doyum gerilimi ve yüksek kolektör akımı sayesinde 2SB772 ailesi DC-DC dönüştürücü ve lineer voltaj regülatörü devrelerinin güç veya sürücü katlarında da kullanılabilir.

Devre Tasarımında Dikkat Edilmesi Gerekenler

• 2SB772L PNP tipi BJT transistördür
• VCBO değeri -40V'tur
• VCEO değeri -30V'tur
• Maksimum DC kolektör akımı -3A sınıfındadır
• Kısa süreli tepe kolektör akımı yaklaşık -7A sınıfındadır
• 3A değeri her çalışma koşulunda güvenli sürekli akım anlamına gelmez
• Pin 1 Emitter, Pin 2 Collector, Pin 3 Base şeklindedir
• Metal tab kolektör terminaline bağlıdır
• 10W güç değeri TC=25°C kasa koşuluna bağlı maksimum değerdir
• Serbest ortamda kullanılabilecek güç çok daha düşüktür
• Anahtarlama uygulamalarında yeterli baz akımı sağlanmalıdır
• Yüksek güç uygulamalarında uygun soğutma kullanılmalıdır
• Endüktif yüklerde transient koruması kullanılmalıdır

Kullanım Alanları

• Ses güç amplifikatörleri
• Amplifikatör çıkış katları
• Amplifikatör sürücü devreleri
• High-side yük anahtarlama
• Röle sürücüleri
• DC motor kontrol devreleri
• Solenoid sürücüleri
• DC-DC dönüştürücüler
• Voltaj regülatörleri
• Güç sürücü devreleri
• Genel amaçlı PNP uygulamalar
• Elektronik eğitim ve deney projeleri

Paket İçeriği

• 1 Adet 2SB772L PNP BJT Transistör 40V 3A TO-126