BD679 NPN Darlington Güç Transistörü 80V 4A TO-126

BD679, yüksek akım kazancı gerektiren güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılan NPN tipi Darlington güç transistörüdür. Darlington yapısı sayesinde standart tek BJT transistörlere göre çok daha yüksek DC akım kazancı sağlayarak düşük baz akımı ile daha yüksek kolektör akımlarının kontrol edilmesine olanak tanır.

80V kolektör-emetör gerilim dayanımı ve 4A sürekli kolektör akımı sınıfı sayesinde röle, solenoid, DC motor, lamba ve çeşitli orta güçlü yüklerin sürülmesinde kullanılabilir. TO-126 tipi THT paket yapısı, uygun termal tasarımla güç elektroniği ve kontrol devrelerinde kullanım için uygundur.

Teknik Özellikler

• Model: BD679
• Transistör Tipi: NPN Darlington BJT
• Yapı: Darlington Güç Transistörü
• Kolektör-Baz Gerilimi (VCBO): 80V
• Kolektör-Emetör Gerilimi (VCEO): 80V
• Emetör-Baz Gerilimi (VEBO): 5V
• Maksimum Sürekli Kolektör Akımı (IC): 4A
• Maksimum Baz Akımı (IB): 100mA
• Minimum DC Akım Kazancı (hFE): 750 @ IC=1.5A, VCE=3V
• Maksimum Kolektör-Emetör Doyum Gerilimi (VCE(sat)): 2.5V @ IC=1.5A
• Maksimum Toplam Güç Kaybı: 40W @ TC=25°C
• Serbest Ortam Güç Kaybı: Yaklaşık 1.25W @ TA=25°C sınıfı
• Maksimum Jonksiyon Sıcaklığı: 150°C
• Paket Tipi: TO-126
• Pin Sayısı: 3
• Montaj Tipi: THT / Delikli Montaj

Not: 4A akım ve 40W güç kaybı mutlak maksimum sınırlardır. Gerçek devrede kullanılabilecek güvenli akım; kolektör-emetör gerilimi, ortam sıcaklığı, çalışma şekli ve soğutma koşullarına bağlıdır.

BD679 Pin Yapısı ve Temel Teknik Özellikleri

Pin Açıklamaları

Bu üründe TO-126 paketin ön yüzüne bakıldığında pin dizilimi aşağıdaki şekildedir:

• Pin 1 - Emitter (E): Emetör terminali
• Pin 2 - Collector (C): Kolektör terminali
• Pin 3 - Base (B): Baz / kontrol terminali

Metal montaj tabı kolektör terminaline elektriksel olarak bağlıdır. Metal bir soğutucuya montaj yapılırken bu bağlantı dikkate alınmalıdır.

Pinout Notu: BD679 farklı üreticiler tarafından farklı pin dizilimleriyle üretilebildiğinden, başka üreticiye ait BD679 kullanılacaksa ilgili datasheet kontrol edilmelidir. Bu ürün için geçerli dizilim 1=Emitter, 2=Collector, 3=Base şeklindedir.

Darlington Transistör Nedir?

Darlington yapısında iki BJT transistör tek paket içerisinde ardışık şekilde bağlanır. İlk transistörün yükselttiği akım ikinci transistörün bazını sürerek toplamda çok yüksek akım kazancı elde edilmesini sağlar.

Yaklaşık toplam akım kazancı:

hFE(toplam) ≈ hFE1 × hFE2

BD679 için belirli test koşullarında minimum DC akım kazancı 750 seviyesindedir. Bu yüksek kazanç, özellikle kontrol devrelerinden orta güçlü yüklerin sürülmesini kolaylaştırır.

80V Kolektör-Emetör Gerilimi

BD679'nin maksimum kolektör-emetör gerilim sınıfı 80V'tur.

VCEO = 80V

80V değeri mutlak maksimum sınırdır. Endüktif yüklerin anahtarlanması sırasında oluşabilecek gerilim darbeleri de hesaba katılarak tasarımda uygun güvenlik payı bırakılmalıdır.

4A Kolektör Akımı

BD679 maksimum 4A sürekli kolektör akımı sınıfına sahiptir.

IC(max) = 4A

Bu değer transistörün her koşulda 4A akımla sürekli çalıştırılabileceği anlamına gelmez. Gerçek akım kapasitesi transistör üzerindeki VCE gerilimine, güç kaybına, soğutmaya ve güvenli çalışma alanına bağlıdır.

Yüksek DC Akım Kazancı

BD679'nin Darlington yapısı yüksek DC akım kazancı sağlar. Yaygın BD679 datasheet'lerinde IC=1.5A ve VCE=3V koşulunda minimum:

hFE ≥ 750

değeri verilmektedir.

Bununla birlikte anahtarlama devrelerinde baz akımı yalnızca nominal hFE değerine göre hesaplanmamalıdır. Güvenilir doyum için üreticinin VCE(sat) test koşulları dikkate alınmalıdır.

Darlington Yapıda Baz-Emetör Gerilimi

BD679 içerisinde iki baz-emetör jonksiyonu bulunduğundan, standart tek BJT transistöre kıyasla daha yüksek baz-emetör gerilimine ihtiyaç duyar.

Bu nedenle klasik NPN transistörlerde kullanılan yaklaşık 0.7V varsayımı BD679 için doğrudan geçerli değildir. Sürme devresinde Darlington yapının daha yüksek VBE değeri dikkate alınmalıdır.

Kolektör-Emetör Doyum Gerilimi

Darlington transistörlerin önemli dezavantajlarından biri standart tek BJT'lere göre daha yüksek kolektör-emetör doyum gerilimidir.

BD679 için IC=1.5A koşulunda maksimum:

VCE(sat) ≤ 2.5V

sınıfı değerler verilmektedir.

Bu nedenle yüksek akım uygulamalarında transistör üzerinde oluşan ısı mutlaka hesaplanmalıdır.

Güç Kaybının Hesaplanması

BD679 üzerinde oluşan yaklaşık güç kaybı aşağıdaki bağıntıyla değerlendirilebilir:

P ≈ VCE × IC

Örneğin transistör üzerinde 2V gerilim düşümü varken 2A akım geçiyorsa yaklaşık 4W güç transistör üzerinde ısıya dönüşür.

Bu seviyelerde uygun soğutma ve termal tasarım gereklidir.

40W Güç Kaybı Değeri

BD679 için yaygın TO-126 datasheet'lerinde toplam maksimum güç kaybı:

PD = 40W @ TC=25°C

olarak verilmektedir.

Buradaki TC, transistörün kasa sıcaklığıdır. Kasa sıcaklığının 25°C seviyesinde tutulması uygun soğutucu ve termal bağlantı gerektirir.

Serbest ortamda ise aynı güç dağıtılamaz. Bazı TO-126 BD679 datasheet'lerinde 25°C ortam sıcaklığında yaklaşık 1.25W maksimum güç kaybı belirtilmektedir.

Metal Tab ve Soğutucu Kullanımı

TO-126 paketin metal montaj yüzeyi kolektör terminaline bağlıdır.

Transistör metal bir soğutucuya monte edilecekse soğutucu elektriksel olarak kolektör potansiyeline geçebilir. Aynı soğutucuda birden fazla yarı iletken kullanılıyorsa gerekli durumlarda izolasyon pedi ve izole montaj elemanı kullanılmalıdır.

Röle Sürme Uygulamaları

BD679'nin yüksek akım kazancı, röle bobinlerinin düşük güçlü kontrol sinyalleriyle sürülmesini kolaylaştırır.

Röle bobini endüktif yük olduğundan enerji kesildiğinde yüksek ters gerilim oluşturabilir. Röle bobinine uygun flyback diyot bağlanması önerilir.

DC Motor Sürme

BD679 uygun çalışma koşullarında küçük ve orta güçlü DC motorların anahtarlanmasında kullanılabilir.

Motorların ilk kalkış ve sıkışma akımları nominal çalışma akımından çok daha yüksek olabileceği için transistör seçimi yalnızca motorun normal akımına göre yapılmamalıdır.

Solenoid ve Elektromıknatıs Sürme

Solenoid, elektromıknatıs ve valf bobinleri gibi endüktif yüklerin kontrolünde BD679 kullanılabilir.

Bu uygulamalarda transistörün akım kapasitesi yanında yükün enerjisi ve anahtarlama sırasında oluşan transient gerilimler de dikkate alınmalıdır.

Mikrodenetleyici ile Kullanım

BD679; Arduino, PIC, AVR, STM32 ve benzeri mikrodenetleyici tabanlı kontrol sistemlerinde yük sürücüsü olarak kullanılabilir.

Mikrodenetleyici GPIO çıkışı uygun bir baz direnci üzerinden Pin 3 Base terminaline bağlanabilir. Emitter Pin 1 GND tarafında, yük ise Collector Pin 2 tarafında kullanılabilir.

Mikrodenetleyicinin maksimum GPIO akımı aşılmamalıdır ve baz direnci hedeflenen baz akımına göre hesaplanmalıdır.

Baz Direncinin Hesaplanması

Baz direnci yaklaşık olarak aşağıdaki formülle hesaplanabilir:

RB ≈ (VCONTROL - VBE) / IB

Burada Darlington transistörün VBE değeri standart tek BJT'ye göre daha yüksek olduğu için yaklaşık 0.7V varsayımıyla hesap yapılmamalıdır.

Devre Tasarımında Dikkat Edilmesi Gerekenler

• BD679 NPN tipi Darlington güç transistörüdür
• Bu ürünün pin dizilimi 1=Emitter, 2=Collector, 3=Base şeklindedir
• Metal montaj tabı Collector terminaline bağlıdır
• VCEO ve VCBO gerilim değerleri 80V sınıfındadır
• Maksimum sürekli kolektör akımı 4A'dır
• Minimum DC akım kazancı 750 sınıfındadır
• Darlington yapısı nedeniyle VBE standart BJT'ye göre daha yüksektir
• VCE(sat) standart tek BJT'ye kıyasla daha yüksek olabilir
• 40W güç değeri TC=25°C kasa sıcaklığı koşuluna bağlıdır
• Serbest ortamda güç kapasitesi çok daha düşüktür
• Baz terminalinde uygun akım sınırlama direnci kullanılmalıdır
• Endüktif yüklerde flyback veya uygun transient koruması kullanılmalıdır

Kullanım Alanları

• Röle sürücü devreleri
• DC motor kontrolü
• Solenoid ve valf sürücüleri
• Elektromıknatıs kontrolü
• Lamba ve yük anahtarlama
• Mikrodenetleyici kontrollü güç sürücüleri
• Endüstriyel kontrol kartları
• Güç anahtarlama devreleri
• Lineer güç uygulamaları
• Elektronik eğitim ve deney projeleri

Paket İçeriği

• 1 Adet BD679 NPN Darlington Güç Transistörü 80V 4A TO-126